特許
J-GLOBAL ID:200903062629790412

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 野河 信太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-371625
公開番号(公開出願番号):特開2002-176101
出願日: 2000年12月06日
公開日(公表日): 2002年06月21日
要約:
【要約】【課題】 半導体装置の信号遅延を低減しうる配線の構造を、製造工程数を増やすことなく実現することを課題とする。【解決手段】 複数の機能ブロックを備えた半導体装置において、配線を機能ブロック及び機能ブロック間領域に分け、機能ブロックには通常の多層配線、機能ブロック間領域には伝送線又は同軸線を同時に形成しうる構成により上記の課題を解決する。
請求項(抜粋):
複数の機能ブロックを備えた半導体装置において、機能ブロックを配置する領域と機能ブロック間を接続する配線を形成するために割り当てられた領域を有し、機能ブロックを配置する領域には多層配線を有し、隣接する機能ブロック間を接続する配線を形成するために割り当てられた領域には信号線と該信号線を絶縁膜を介して上下左右を取り囲む接地線とからなる同軸線を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 21/82 ,  H01L 21/3205
FI (2件):
H01L 21/82 W ,  H01L 21/88 S
Fターム (34件):
5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02 ,  5F033VV03 ,  5F033XX27 ,  5F064EE23 ,  5F064EE26 ,  5F064EE32 ,  5F064EE46 ,  5F064EE52 ,  5F064EE56 ,  5F064GG10
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 配線処理方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-082848   出願人:甲府日本電気株式会社
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-114318   出願人:日本プレシジョン・サーキッツ株式会社
  • 半導体集積回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-232185   出願人:日本電気株式会社
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