特許

J-GLOBAL ID：200903062691703810

ボンドパッドおよびボンドパッド構造の製造方法

発明者： コバヤシ、トーマス エス. ,  ポズダー、スコット ケイ.
出願人/特許権者： フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 桑垣 衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-529519
公開番号（公開出願番号）：特表2005-522019
出願日： 2002年08月20日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

ボンドパッド領域内に、最初に、平坦化された銅(18)と酸化ケイ素フィーチャ(14)との組み合わせを形成することによって、ボンドパッド(100)を形成する。酸化ケイ素のフィーチャ(14)をエッチバックして、ボンドパッド領域内の銅内に複数の凹部(15)を形成する。銅および酸化ケイ素フィーチャの上部ならびに凹部内に、腐食バリア(22)を形成する。プローブを銅に対して直接使用して、ウエハ(10)のプロービングを行う。ワイヤボンド部(24)は、銅(18)に直接取付けられる。銅内の凹部(15)により、ワイヤボンド部(24)は、腐食バリアをより容易に破壊かつ貫入し、またボンドパッド(100)上での摺動が低減される。

請求項（抜粋）：

半導体基板(10)上にボンドパッド(100)を製造するための方法であって、 半導体基板上に誘電体層(12)を形成する工程と、 前記誘電体層(12)をパターニングして誘電体層(12)のボンドパッド領域内に複数のフィーチャ(14)を形成する工程と、 前記誘電体層(12)上、前記複数のフィーチャ(14)間、および前記複数のフィーチャ(14)上に銅層(16)を堆積させる工程と、 プローブ(80)を直接受容するために、前記銅層(16)をエッチバックした後、化学的機械研磨して、複数のフィーチャ(14)および銅層(18)が露出された頂面を備えたほぼ平坦な表面を形成する工程と、 前記複数のフィーチャ(14)をエッチバックして、エッチバックされた銅層内に凹部(15)を形成する工程と、 前記エッチバックされた銅層上および凹部内に、バリア層(22)を適用する工程とを含む方法。

IPC (2件)：

H01L21/60 ,  H01L21/3205

FI (2件)：

H01L21/60 301P ,  H01L21/88 T

Fターム (28件)：

5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033MM21 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR22 ,  5F033SS04 ,  5F033SS07 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033VV07 ,  5F033XX01 ,  5F033XX20 ,  5F044AA14 ,  5F044EE04 ,  5F044EE07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-141037   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-033550   出願人：日東電工株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-107805   出願人：日本電気株式会社