特許
J-GLOBAL ID：200903019190264120

半導体装置およびその製造方法

発明者：
白樫 衛吾

白樫 衛吾 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-141037
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332017
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 外部との間で電気信号が入出力される金属電極が縮小化されても、金属電極へのボンディングワイヤ等の接続を良好にでき、パッシベーション膜のクラック等を防止して信頼性の高い半導体装置を実現する。【解決手段】 半導体基板1上に層間絶縁膜2を形成し、その上に金属配線3を形成し、金属配線3を覆うようにパッシベーション膜4を形成し、金属配線3上にパッシベーション膜4を貫通してパッシベーション膜4の表面より上に突起した複数個のプラグ5を形成する。この複数個のプラグ5により電気信号の入出力部となる金属電極を構成している。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された金属配線と、前記金属配線を覆うように形成されたパッシベーション膜と、前記金属配線と接続され電気信号の入出力部となる金属電極とを備えた半導体装置であって、前記金属電極は、前記金属配線上に形成され前記パッシベーション膜を貫通して前記パッシベーション膜の表面より上に突起した複数個のプラグからなることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311
FI (4件)：
H01L 21/88 T ,  H01L 21/60 301 N ,  H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/60 311 Q
Fターム (44件)：
5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH12 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK09 ,  5F033KK12 ,  5F033KK14 ,  5F033MM04 ,  5F033MM17 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN15 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP18 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033VV07 ,  5F033XX03 ,  5F033XX17 ,  5F044EE01 ,  5F044EE11 ,  5F044EE13 ,  5F044EE20 ,  5F044EE21 ,  5F044QQ06
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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