特許
J-GLOBAL ID:200903062714788311

液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小野 由己男 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-353680
公開番号(公開出願番号):特開2000-180898
出願日: 1999年12月13日
公開日(公表日): 2000年06月30日
要約:
【要約】【課題】 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造費用を減少させ、漏洩電流を防止する。【解決手段】 絶縁基板上にゲート配線を形成する段階と;ゲート配線を覆うゲート絶縁膜パターン、その上の半導体層パターン及び接触層パターンを含む三重層を形成する段階と;下部導電層及び上部導電層の二重層からなる導電体パターンを形成する段階と;導電体パターンで覆われない接触層パターンをエッチングする段階と;保護膜を形成する段階と;保護膜で覆われない導電体パターンの上部導電層をエッチングする段階と;を含む。
請求項(抜粋):
絶縁基板上にゲート配線を形成する段階と、前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜パターン、ゲート絶縁膜パターンの上の半導体層パターン及び接触層パターンを含む三重層を形成する段階と、下部導電層及び上部導電層の二重層からなる導電体パターンを形成する段階と、前記導電体パターンで覆われない接触層パターンを除去する段階と、保護膜を形成する段階と、保護膜で覆われない導電体パターンの上部導電層を除去する段階と、を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
引用特許:
審査官引用 (15件)
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