特許
J-GLOBAL ID：200903062721421156
波長変換素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
細田 益稔
, 青木 純雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-043469
公開番号（公開出願番号）：特開2008-209451
出願日： 2007年02月23日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：
【課題】強誘電体基板内に波長変換部を設け、強誘電体基板を支持基板上に接合する波長変換素子において、素子の出力変動を抑制できるようにし、かつ、支持基板に空隙を形成するためのコストを低減すること。【解決手段】波長変換素子1は、支持基体、強誘電性材料からなり、波長変換部が形成されている強誘電体層7、強誘電体層7の背面7d側に形成されているバッファ層6、ハッファ層6と積層されているスペーサ層5、スペーサ層5と支持基体2とを接着する樹脂接着剤層3を備えている。スペーサ層5の内側かつバッファ層6と樹脂接着剤層3との間に空隙9が形成されており、空隙9が波長変換部4下に設けられている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
支持基体、
強誘電性材料からなり、波長変換部が形成されている強誘電体層、
この強誘電体層の背面側に形成されているバッファ層、
前記バッファ層と積層されているスペーサ層、および
前記スペーサ層と前記支持基体とを接着する樹脂接着剤層
を備えている波長変換素子であって、
前記スペーサ層の内側かつ前記バッファ層と前記樹脂接着剤層との間に空隙が形成されており、この空隙が前記波長変換部下に設けられていることを特徴とする、波長変換素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
2K002AB12
, 2K002BA01
, 2K002CA03
, 2K002DA06
, 2K002EA00
, 2K002FA29
, 2K002HA13
