特許

J-GLOBAL ID：200903062740226550

炭素系硬質膜の形成方法並びにその装置

発明者： 山田 公 ,  松尾 二郎 ,  北川 晃幸 ,  アレン・カークパトリック
出願人/特許権者： 株式会社野村鍍金
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-334277
公開番号（公開出願番号）：特開2001-192807
出願日： 2000年11月01日
公開日（公表日）： 2001年07月17日
要約：

【要約】【課題】 従来は困難であった高硬度、基材に対する強密着性、広い基材選択性、構造安定性、室温形成、大面積化の可能な炭素系硬質膜の形成を可能とする。【解決手段】 真空減圧下に基材上に炭素質の硬質膜を気相成膜する方法であって蒸発炭素質材料を、イオン化して、もしくはイオン化せずに基体表面に付着させる際に、常温・常圧下では気体状の物質の原子または分子の集合体としてのガスクラスターをイオン化して生成させたガスクラスターイオンを照射して成膜する。

請求項（抜粋）：

真空減圧下に基材上に炭素質の硬質膜を気相成膜する方法であって、蒸発炭素質材料を、イオン化して、もしくはイオン化せずに基材表面に付着させるとともに、常温・常圧下では気体状の物質の原子または分子の集合体としてのガスクラスターをイオン化して生成させたガスクラスターイオンを連続的または断続的に照射して成膜することを特徴とするガスクラスターイオンの援用照射による炭素系硬質膜の形成方法。

IPC (8件)：

C23C 14/06 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 ,  C01B 31/02 ,  C01B 31/04 101 ,  C23C 14/32 ,  G02B 1/10

FI (8件)：

C23C 14/06 F ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 Z ,  C01B 31/02 101 F ,  C01B 31/04 101 Z ,  C23C 14/32 G ,  G02B 1/10 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-096124   出願人：日新電機株式会社
• 特開昭57-106513
  
• 特開昭58-153774
  
• 特開昭63-206387