特許
J-GLOBAL ID：200903062754357143

SiC膜を被覆した半導体製造装置用部材およびその製造方法

発明者：
長崎 茂夫

長崎 茂夫 について


出願人/特許権者：
東海高熱工業株式会社

東海高熱工業株式会社 について


代理人 (1件)： 福田 保夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-068614
公開番号（公開出願番号）：特開2002-274983
出願日： 2001年03月12日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：
【要約】【課題】 Si含浸焼結SiC材、黒鉛材などの基材に対してCVD法によりSiC膜が強固に被覆され、耐熱衝撃性、耐酸化性、耐食性に優れるとともに、とくにSiC膜表面の突起の発生が少ないという特性をそなえたSiC膜を被覆した半導体製造用部材およびその製造方法を提供する。突起の発生が低減されたことにより、使用中にパーティクルの発生が無く、シリコンウエハの損傷を生じることが無い。【解決手段】 基材にCVD反応装置内でCVD法によりSiC膜を形成するに際し、該反応装置内を減圧下で、基材がSiC含浸焼結SiC材の場合は700〜1200°C、基材が黒鉛材の場合は700°C以上の温度に加熱した後、該温度域において不活性ガスを導入して、不活性ガス雰囲気を保持しながらCVD反応温度とし、その後、シリコン含有反応ガスをキャリアガスと共に導入して気相熱分解し、前記基材にSiC膜を被覆する。得られたSiC膜被覆部材の表面に存在する直径100μm以上の突起物は100cm2 当たり10個以下である。
請求項（抜粋）：
基材にSiC膜を被覆した部材の表面に存在する直径100μm以上の突起物が100cm2 当たり10個以下であることを特徴とするSiC膜を被覆した半導体製造装置用部材。
IPC (3件)：
C04B 41/87 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/22 501
FI (4件)：
C04B 41/87 V ,  C04B 41/87 G ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/22 501 M
Fターム (10件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030CA05 ,  4K030DA03 ,  4K030DA06 ,  4K030FA10 ,  4K030KA47
引用特許：
審査官引用 (3件)

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