低K誘電体材料をその上に有する半導体ウェハをリサイクルするための組成物および方法

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲葉良幸 , 大賀眞司 , 大貫敏史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-540335
公開番号（公開出願番号）：特表2009-515055
出願日： 2006年11月09日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：

低k誘電体材料、エッチング停止材料、および/または金属スタック材料を、その上にこれらを有する不良微小電子素子構造から除去する除去組成物およびプロセス。除去組成物はフッ化水素酸を含む。組成物は、これらをその上に有する微小電子素子構造の表面からの材料の少なくとも部分的な除去を、前記構造のリサイクルおよび/または再使用のために、半導体構造に用いられている下位のポリシリコンまたはベアシリコン層に損傷をあたえることなく達成する。

請求項（抜粋）：

フッ化水素酸および水を含む除去組成物であって、前記組成物が以下の構成成分(I)および(II) (I)少なくとも1種のアミン;または (II)少なくとも1種の有機溶剤であって、ここで、組成物は実質的にアミン種を含まないの少なくとも一方を含むことによりさらに特徴付けられ:および前記除去組成物が、低k誘電体材料、エッチング停止材料、金属スタック材料およびこれらの組み合わせからなる群から選択される材料を、前記材料をその上に有する微小電子素子から除去するために好適である除去組成物。

IPC (2件)：

C23G 1/02 , H01L 21/304

FI (3件)：

C23G1/02 , H01L21/304 647A , H01L21/304 647Z

Fターム (55件)：

4K053PA01 , 4K053QA07 , 4K053RA12 , 4K053RA13 , 4K053RA15 , 4K053RA16 , 4K053RA17 , 4K053RA19 , 4K053RA40 , 4K053RA41 , 4K053RA45 , 4K053RA51 , 4K053RA52 , 4K053RA54 , 4K053RA57 , 4K053RA59 , 4K053RA61 , 4K053RA62 , 4K053RA68 , 4K053SA06 , 4K053TA17 , 4K053TA19 , 4K053YA03 , 5F043AA10 , 5F043AA21 , 5F043AA29 , 5F043BB03 , 5F043BB15 , 5F043BB21 , 5F043GG10 , 5F157AA28 , 5F157AA32 , 5F157AA46 , 5F157AA47 , 5F157AA51 , 5F157AA63 , 5F157AC01 , 5F157AC13 , 5F157BB01 , 5F157BC03 , 5F157BC13 , 5F157BC54 , 5F157BD03 , 5F157BD05 , 5F157BE12 , 5F157BE23 , 5F157BE42 , 5F157BE46 , 5F157BF12 , 5F157BF22 , 5F157BF32 , 5F157BF38 , 5F157CB03 , 5F157DA15 , 5F157DA21

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体デバイス製造用ウェーハを洗浄する洗浄組成物及び洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-308509 出願人：三星電子株式会社
エッチング剤
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-430792 出願人：東ソー株式会社
半導体装置のための有機およびプラズマ・エッチング残留物の洗浄用ラクタム組成物
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-519124 出願人：イーケーシーテクノロジー,インコーポレイティド

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