特許

J-GLOBAL ID：200903091108838605

半導体デバイス製造用ウェーハを洗浄する洗浄組成物及び洗浄方法

発明者： 林 光 信 ,  朴 相 五
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-308509
公開番号（公開出願番号）：特開平10-251695
出願日： 1997年11月11日
公開日（公表日）： 1998年09月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイス製造用ウェーハの表面に存在する金属及び有機物の洗浄効果を増大させ、しかも、ウェーハの表面に対する浸食を減少させる。【解決手段】 0.1乃至2容積%の弗化水素と、5乃至15容積%の過酸化水素水と、41乃至47容積%の低級アルコールと、残量として脱イオン水とから半導体デバイス製造用ウェーハの洗浄のための洗浄組成物を構成した。

請求項（抜粋）：

0.1乃至2容積%の弗化水素と、5乃至15容積%の過酸化水素水と、41乃至47容積%の低級アルコールと、残量として脱イオン水とからなることを特徴とする半導体デバイス製造用ウェーハの洗浄のための洗浄組成物。

IPC (7件)：

C11D 7/60 ,  C23G 5/02 ,  H05K 3/26 ,  B08B 3/08 ,  C11D 7:08 ,  C11D 7:18 ,  C11D 7:26

FI (4件)：

C11D 7/60 ,  C23G 5/02 ,  H05K 3/26 E ,  B08B 3/08 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シリコン半導体およびシリコン酸化物の洗浄液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-283845   出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
• フラツクス洗浄剤およびそれを用いた半田付け電子部品の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-218374   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社