特許

J-GLOBAL ID：200903011066286212

エッチング剤

発明者： 原 靖 ,  高橋 史治 ,  林 博明
出願人/特許権者： 東ソー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-430792
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191277
出願日： 2003年12月25日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

【課題】 半導体回路の絶縁膜として用いられるハフニウム化合物、特にハフニウムシリケート、ハフニウムアルミネートはエッチングし難く、エッチング加工において他の半導体材料を侵さずに実用的な速度でエッチングすることが難しかった。【解決手段】フッ化物、過酸化水素、水及びアンモニアを含んでなるハフニウムシリケートのエッチング用組成物を用いる。フッ化物としては、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、フッ化ケイ素等を用い、エッチング用組成物にカルボン酸、水溶性有機溶媒を添加しても良い。【選択図】 選択図なし

請求項（抜粋）：

フッ化物、過酸化水素、水及びアンモニアを含んでなるハフニウム化合物のエッチング用組成物。

IPC (3件)：

H01L21/308 ,  C23F1/30 ,  H01L21/768

FI (3件)：

H01L21/308 E ,  C23F1/30 ,  H01L21/90 K

Fターム (15件)：

4K057WA10 ,  4K057WB01 ,  4K057WE07 ,  4K057WE11 ,  4K057WE12 ,  4K057WE14 ,  4K057WE15 ,  4K057WE23 ,  4K057WE25 ,  4K057WN01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ20 ,  5F033RR01 ,  5F043AA37 ,  5F043BB25

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 除去方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-027361   出願人：NECエレクトロニクス株式会社

審査官引用 (3件)

• 高誘電率薄膜エッチング剤組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-084472   出願人：三菱瓦斯化学株式会社
• 酸化ハフニウムエッチング剤及びエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-092128   出願人：東ソー株式会社
• エッチング剤及びエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-207820   出願人：東ソー株式会社