特許
J-GLOBAL ID：200903062782815750
pn接合及び反応生成物の形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-143611
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340486
出願日： 1998年05月26日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 太陽電池の受光面に形成される反射防止膜の形成方法を改善することにより、工程数が少なくかつモジュール化に適した太陽電池を実現する。【解決手段】 p型の導電型を有する結晶系シリコン基板を加熱し基板上に、酸素と、ガス状態のチタン化合物と、ガス状態のリン化合物とを供給して、これらを酸化分解することにより反応生成物を得、反応生成物を不活性ガス中で熱処理して、n層及び反射防止膜を形成、ガス状態のチタン化合物と、ガス状態のリン化合物との供給量比を変えることにより、リン/チタンの組成比0.1〜1.5のリン含有酸化チタンからなる反応生成物を得、結晶系シリコン太陽電池のpn接合と反射防止膜を同時に形成できシリコン基板側のn層のシート抵抗値が100Ω/□以下、反射防止膜の屈折率2.2〜2.7となり、モジュール化に適した太陽電池用の反射防止膜を提供することが可能になる。
請求項（抜粋）：
p型の導電型を有する結晶系シリコン基板を所定温度に加熱すると共に、該基板上に、酸素と、ガス状態のチタン化合物と、ガス状態のリン化合物とを供給して、これらを酸化分解することにより反応生成物を得、さらに、該反応生成物を不活性ガス中で熱処理してn層及び反射防止膜を形成する反応生成物の形成方法において、上記ガス状態のチタン化合物と、上記ガス状態のリン化合物との供給量比を変えることにより、チタンに対するリンの組成比(原子数比)が1:0.1〜1.5となるように成膜することを特徴とするpn接合及び反応生成物の形成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 31/04 X
, C23C 16/30
, H01L 31/04 F
