カーボンナノチューブ成膜装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：東田潔 , 山下雅昭 , 打揚洋次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-329202
公開番号（公開出願番号）：特開2004-161539
出願日： 2002年11月13日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】チャージアップを大幅に緩和し、また、基板ステージに流れ込むイオンの電流値を増加せしめて、良質なカーボンナノチューブ膜を形成することができるカーボンナノチューブ成膜装置の提供。【解決手段】成膜室1内に設けられた基板ステージ4-bと成膜室の上部フランジ2との間に石英円筒9-aを密接して取り付ける。また、この石英円筒の上方に、上部フランジ2の開口部の径に対して0.5〜2.0mm小さい外径をもつ石英円板9-b、9-cを搭載する。また、ステージ4-bにインバータ電源10を設ける。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

成膜室と、該成膜室内に設けられた、被処理基板が搭載される電気的に接地電位から絶縁された基板ステージと、該成膜室と対向して設けられた、矩形導波管から同軸変換されたキャビティを用いたマイクロ波発生器とを備え、該マイクロ波発生器で発生したマイクロ波を該成膜室に導入するための誘電体からなる窓を用いて大気と真空とを隔離しているプラズマCVD装置において、該基板ステージ上に石英円筒を搭載したことを特徴とするカーボンナノチューブ成膜装置。

IPC (5件)：

C01B31/02 , B82B3/00 , C23C16/26 , C23C16/511 , H01L21/205

FI (5件)：

C01B31/02 101F , B82B3/00 , C23C16/26 , C23C16/511 , H01L21/205

Fターム (32件)：

4G146AA11 , 4G146AB06 , 4G146AB07 , 4G146BA12 , 4G146BC09 , 4G146BC15 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030BA27 , 4K030FA01 , 4K030JA18 , 4K030JA20 , 4K030KA14 , 4K030KA20 , 4K030KA45 , 4K030KA46 , 4K030LA11 , 5C127AA01 , 5C127BA15 , 5C127BB07 , 5C127CC03 , 5C127DD09 , 5F045AA09 , 5F045AB07 , 5F045AD07 , 5F045AE21 , 5F045BB08 , 5F045BB16 , 5F045EB02 , 5F045EH03 , 5F045EH19 , 5F045EM02

引用特許：

審査官引用 (3件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-197525 出願人：日本真空技術株式会社
カーボンナノチューブ薄膜形成ECRプラズマCVD装置及び該薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-000299 出願人：日本真空技術株式会社
薄膜作成方法および薄膜作成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-066067 出願人：アネルバ株式会社

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