特許
J-GLOBAL ID：200903088833105701

カーボンナノチューブ薄膜形成ECRプラズマCVD装置及び該薄膜の形成方法

発明者：
阿川 義昭

阿川 義昭 について


出願人/特許権者：
日本真空技術株式会社

日本真空技術株式会社 について


代理人 (1件)： 北村 欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-000299
公開番号（公開出願番号）：特開2001-192829
出願日： 2000年01月05日
公開日（公表日）： 2001年07月17日
要約：
【要約】【課題】 手間がかからず、カーボンナノチューブの生産能力が高く、電力の消費量が低く、製造コストの安い、カーボンナノチューブ薄膜形成CVD装置及び該薄膜形成方法の提供。【解決手段】 マイクロ波によるECRプラズマを利用した気相反応によるカーボンナノチューブ薄膜形成CVD装置において、マイクロ波発生システムのマイクロ波導入管の先端部分が成膜室内に設けられ、この先端部分が円錐台形状で末広がりであるホーン形状からなっており、該マイクロ波導入管には、成膜室との接続部分又はその近傍に石英製仕切部材が設けられている。この装置を用いてカーボンナノチューブ薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
成膜室と、該成膜室内に設置された基板ホルダーと、該成膜室内に炭素含有ガス及び水素ガスを供給するためのガス供給系と、該基板ホルダーに接続されたバイアス電源と、該成膜室内にECRプラズマを発生させるためのマイクロ波発生システムとを有し、該マイクロ波発生システムのマイクロ波導入管の先端部分が該成膜室内に設けられ、この先端部分が円錐台形状で末広がりのマイクロ波導入部からなっていることを特徴とするカーボンナノチューブ薄膜形成ECRプラズマCVD装置。
IPC (2件)：
C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101
FI (2件)：
C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 F
Fターム (16件)：
4G046CA02 ,  4G046CB01 ,  4G046CB09 ,  4G046CC06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030BB11 ,  4K030CA02 ,  4K030FA02 ,  4K030GA02 ,  4K030GA05 ,  4K030KA20 ,  4K030KA30 ,  4K030KA45 ,  4K030LA18
引用特許：
審査官引用 (8件)
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