バイポ-ラトランジスタの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-163540
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022431
出願日： 1993年07月01日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】バイポ-ラトランジスタの製造工程を低温化し薄層のベ-ス層を形成すること。【構成】ベース領域7を形成した後、エミッタ領域8を形成するに際して、開口部7aの側壁に、薄い第2の絶縁膜12と、コレクタと同一導電形の不純物を含む非晶質シリコン15とを積層し、開口部内の非晶質シリコン15をドライエッチングで除去し開口して絶縁膜12を露出させ、更にエッチング液で絶縁膜12を除去し開口してベース領域8を露出させる。最後にコレクタと同一導電形の不純物を導入してエミッタ領域8を形成すると同時に多結晶シリコンでエミッタ電極11を形成する。【効果】ベ-ス層を薄層化できるので素子の高速動作が可能になる。また、エミッタ抵抗を従来の約70%に低減できる。さらにコンタクト孔形成工程で開口部縁上のエミッタ電極が除去されエミッタ・ベ-ス間が電気的に短絡するのを防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

一導電型を有するコレクタ層が形成された半導体基板上に、?@ベ-ス電極となる反対導電型の不純物を含む多結晶シリコンを堆積し、次いで多結晶シリコン上に第1の絶縁膜を積層する工程と、?Aフォトレジスト膜からなるマスクを用いて選択的に第1の絶縁膜と多結晶シリコンとを除去してベ-スを形成する領域に開口部を形成する工程と、?B絶縁膜をマスクとして反対導電型の不純物を導入してベ-ス領域を形成する工程と、?C第2の絶縁膜を堆積し、次いで一導電型の不純物を混合したガスから形成した一導電型の不純物を含む非晶質、または多結晶シリコンを開口部の側壁に形成する工程と、?D開口部内にベ-ス領域を露出させる工程と、?E第1の絶縁膜をマスクとして開口部を通じて一導電型の不純物を導入してエミッタ領域を形成する工程とを有して成るバイポ-ラトランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73

引用特許：

出願人引用 (9件)

特開平3-272144
特開平4-264735
特開平3-268433

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審査官引用 (10件)

特開平1-272144
特開平3-272144
特開平4-264735

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