特許
J-GLOBAL ID:200903062819830704

プラズマ処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-232130
公開番号(公開出願番号):特開2001-057361
出願日: 1999年08月19日
公開日(公表日): 2001年02月27日
要約:
【要約】【課題】炭素元素を含むガスを用いるプラズマ処理装置において被処理基板の金属汚染と異物の発生を抑制する。【解決手段】プラズマ処理室の内壁面に高純度ポリエーテルイミド等の樹脂層を配設し、エッチングチャンバからの金属汚染を抑制する。また、樹脂層の温度変動が小さくなる構成にする。
請求項(抜粋):
真空排気手段と、原料ガス供給手段と、該原料ガス供給手段から供給される原料ガスをプラズマ化する手段と、被加工試料を設置する手段を有するプラズマ処理装置において、プラズマ処理室の内壁面に樹脂層を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件):
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (4件):
H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 N
Fターム (10件):
4K057DA20 ,  4K057DD01 ,  4K057DM14 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB29 ,  5F004CA09 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26
引用特許:
審査官引用 (3件)

前のページに戻る