特許
J-GLOBAL ID：200903062838923837

半導体装置の製造方法

発明者：
堀野 和彦

堀野 和彦 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-264381
公開番号（公開出願番号）：特開平11-103134
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：
【要約】【課題】 炭化珪素基板上に結晶性の高い窒化物半導体層を形成する方法を提供する。【解決手段】 炭化珪素基板の表面上に、III族元素としてAlを含み、V族元素としてNを含むIII-V族化合物半導体材料からなる第1の層を、圧力220Torrよりも高い条件で変圧気相成長させる。第1の層を減圧気相成長させる工程において、圧力を220Torrとし、原料ガスとキャリアガスとのガス総流量を種々変化させて成長させた場合の第1の層のある面に対応するX線ロッキングカーブの半値幅をガス総流量の関数として示したグラフと、圧力を100Torrとして成長させた場合の同様のグラフとの交点に対応するガス総流量よりもガス総流量を多くして第1の層を成長させることが好ましい。
請求項（抜粋）：
炭化珪素基板の表面上に、III族元素としてAlを含み、V族元素としてNを含むIII-V族化合物半導体材料からなる第1の層を、圧力220Torrよりも高い条件で減圧気相成長させる工程を有する半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01S 3/18 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (4件)：
H01S 3/18 ,  C30B 29/40 502 F ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
引用特許：
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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