特許
J-GLOBAL ID：200903029836915341

化合物半導体装置

発明者：
堀野 和彦

堀野 和彦 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-338419
公開番号（公開出願番号）：特開平9-180998
出願日： 1995年12月26日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 化合物半導体装置に関し、エピタキシャル成長層にクラッキングが発生することを防止し、高品質の化合物半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板1及び半導体エピタキシャル層2の少なくとも一方が熱膨張係数に異方性を有すると共に、半導体基板1の主面の面膨張係数βと、この主面に面する半導体エピタキシャル層2の面膨張係数αとが、(β-α)・ΔT≦1.4×10-3の関係を満たす様に主面を選定する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に異種半導体エピタキシャル層を設けた化合物半導体装置において、前記半導体基板及び半導体エピタキシャル層の少なくとも一方が熱膨張係数に異方性を有すると共に、前記半導体基板の主面の面膨張係数βと、前記主面に面する半導体エピタキシャル層の面膨張係数αとが、結晶成長温度から室温までの温度差をΔTとした場合に、(α-β)・ΔT≦1.4×10-3の関係を満たすことを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 半導体発光素子及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-021159   出願人：株式会社東芝
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-013393   出願人：シャープ株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-253784   出願人：三洋電機株式会社
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審査官引用 (4件)
  • 半導体発光素子及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-021159   出願人：株式会社東芝
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-013393   出願人：シャープ株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-253784   出願人：三洋電機株式会社
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