特許
J-GLOBAL ID：200903062845276014
混成集積回路装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-353920
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186304
出願日： 1997年12月22日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 成形時間の短い熱可塑性樹脂を採用して混成集積回路基板をモールドする。【解決手段】 熱可塑性樹脂性2は、成型時300度と高い注入温度であるが、金属基板1を採用することで、半田3、4のある表面の温度上昇を抑制させることができる。また更に半田部の温度上昇を抑制させるために、注入前にエポキし樹脂をポッティングし、熱抵抗により半田溶融を防止する。またゲート25の位置を混成集積回路基板表面よりも高く設定し、混成集積回路基板を下に押圧しながらモールドし、抑えピンを省略している。
請求項（抜粋）：
少なくとも表面が絶縁処理され、この表面に設けられた導電パターンと、この導電パターンと半田を介して接続された半導体素子または受動素子とを有する金属基板から成る混成集積回路基板を熱可塑性樹脂用の封止金型の下金型に当接し、前記半導体素子または/および受動素子に射出される封止樹脂が直接当接しないようなゲート位置およびこのゲートからの射出角度に設定されたゲートから前記封止樹脂を射出して、前記混成集積回路基板を封止する事を特徴とした混成集積回路装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/56
, B29C 33/12
, B29C 45/14
, B29C 45/27
, H01L 23/36
, B29L 31:34
H01L 21/56 T
, B29C 33/12
, B29C 45/14
, B29C 45/27
, H01L 23/36
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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