特許
J-GLOBAL ID：200903062907056040

厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法

発明者：
鷲尾 泰史

鷲尾 泰史 について

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大掛 光明

大掛 光明 について

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鵜野 和英

鵜野 和英 について

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斎藤 宏二

斎藤 宏二 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-338854
公開番号（公開出願番号）：特開2008-151953
出願日： 2006年12月15日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：
【課題】接続端子などの製造に好適に用いることができ、かつ高感度な厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法を提供する。【解決手段】支持体上に、膜厚5〜150μmの厚膜ホトレジスト層を形成するために用いられる厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物であって、(A)活性光線又は放射線照射により酸を発生する化合物、(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する特定構造の樹脂、及び(C)アルカリ可溶性樹脂を含有する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
支持体上に、膜厚5〜150μmの厚膜ホトレジスト層を形成するために用いられる厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物であって、 (A)活性光線又は放射線照射により酸を発生する化合物、(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂、及び(C)アルカリ可溶性樹脂を含有し、 前記(B)成分が、(B1)下記一般式(b1):
IPC (4件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/28
FI (4件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/033 ,  H01L21/30 502R ,  C08F20/28
Fターム (54件)：
2H025AA01 ,  2H025AA10 ,  2H025AB15 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF03 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB29 ,  2H025FA12 ,  2H025FA14 ,  2H025FA17 ,  4J100AB02S ,  4J100AB03S ,  4J100AB04S ,  4J100AB07S ,  4J100AB08S ,  4J100AC03S ,  4J100AC04S ,  4J100AG04S ,  4J100AJ01S ,  4J100AJ02S ,  4J100AJ08S ,  4J100AJ09S ,  4J100AL03S ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL09S ,  4J100AL34S ,  4J100AM02S ,  4J100AM15S ,  4J100AS02S ,  4J100AS03S ,  4J100BA02S ,  4J100BA03S ,  4J100BA04R ,  4J100BA05R ,  4J100BA06R ,  4J100BA08R ,  4J100BA16S ,  4J100BC04Q ,  4J100BC43R ,  4J100BC43S ,  4J100BC53P ,  4J100BC53R ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (4件)
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