特許
J-GLOBAL ID：200903062914027501

高誘電率酸化膜の形成方法及び該方法に用いる半導体製造装置

発明者：
黒河 明

黒河 明 について

, 
野中 秀彦

野中 秀彦 について

, 
中村 健

中村 健 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-397775
公開番号（公開出願番号）：特開2003-193243
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：
【要約】【課題】 リーク電流の発生がなく長期に亘って優れた絶縁性能が維持される高信頼性の高誘電率絶縁酸化膜を半導体基板上に形成する方法及びその半導体製造装置を提供する。【解決手段】 半導体基板上に有機金属化合物を用いて高誘電率酸化膜を形成し、得られた高誘電率酸化膜を酸化性ガスまたはオゾン水溶液で清浄化処理してその酸化膜形成時に発生した有機系汚染物を除去する高誘電率酸化膜の形成方法である。この清浄化処理には、紫外線照射を併用することが好ましい。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に有機金属化合物を用いて高誘電率酸化膜を形成し、得られた高誘電率酸化膜を酸化性ガスまたはオゾン水溶液で清浄化処理して該酸化膜形成時に発生した有機系汚染物を除去することを特徴とする高誘電率酸化膜の形成方法。
IPC (3件)：
C23C 16/56 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31
FI (3件)：
C23C 16/56 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 B
Fターム (18件)：
4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030BA10 ,  4K030BA21 ,  4K030BA42 ,  4K030BA47 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030HA13 ,  4K030JA10 ,  5F045AA06 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045HA25
引用特許：
審査官引用 (7件)
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