特許
J-GLOBAL ID：200903062937057297
SiON膜の形成方法及びSiON膜形成装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-029375
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234347
出願日： 2002年02月06日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：
【要約】【課題】 SiO2 膜をプラズマ窒化処理して、窒素濃度が、ゲート電極近傍で高く、基板側で低くなる窒素組成のプロファイルを有するSiON膜の形成方法を提供する。【解決手段】 本SiON膜の形成方法は、窒素を含んだプラズマを励起させるための高周波電力(以下、ソースRFと言う)を供給するソースRF供給源と、基板に高周波電力(以下、バイアスRFと言う)を印加するバイアスRF供給源とを備えたプラズマ窒化処理装置を使用し、基板にバイアスRFを印加して、ソースRFのみの印加に比べて、基板上のSiO2 膜に入射するイオンの入射エネルギー及び入射フラックスを増加させる。これにより、SiO2 膜表面のSi-O結合を切断してSiダングリングボンドの数を増加させ、Si-Nの結合を促し、窒化膜形成プロセスに要する時間を短縮し、かつSiO2 膜表面の窒化濃度を増加させることができる。
請求項（抜粋）：
窒素を含んだプラズマに基板上のSiO2 膜の表面を曝して前記SiO2 膜の表面層を窒化させ、SiON膜を形成するSiON膜の形成方法において、前記窒素を含んだプラズマを励起させるための高周波電力(以下、ソースRFと言う)を供給するソースRF供給源と、前記基板に高周波電力(以下、バイアスRFと言う)を印加するバイアスRF供給源とを備えたプラズマ窒化処理装置を使用し、前記基板にバイアスRFを印加して、前記ソースRFのみの印加に比べて、前記基板上のSiO2 膜に入射するイオンの入射エネルギー及び入射フラックスを増加させることを特徴とするSiON膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318
, H01L 21/283
, H01L 29/78
H01L 21/318 C
, H01L 21/283 B
, H01L 29/78 301 G
4M104CC05
, 4M104EE03
, 4M104EE14
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 5F058BC11
, 5F058BF74
, 5F058BJ01
, 5F140AA19
, 5F140AA40
, 5F140BD09
, 5F140BD15
, 5F140BE07
, 5F140BE08
, 5F140BF01
, 5F140BF04
