特許

J-GLOBAL ID：200903091390092530

薄膜窒化珪素または酸化窒化珪素ゲート誘電体の形成方法

発明者： ロバート クラフト ,  サニル ブイ.ハツタンガディ ,  ダグラス ティー.グリダー
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-335805
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173187
出願日： 1997年12月05日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】窒化物膜の障壁特性の利点を生かしつつ、また酸化物膜の電気的特性の利点をも有する膜を製造するための方法を提供する【解決手段】1つの表面を有する半導体基板を用意し、前記半導体基板の上に酸素含有層を形成し、前記酸素含有層を窒素を含むプラズマに曝して、前記窒素が前記酸素含有層の中に混入されるかまたは前記基板の前記表面部に窒化物層を形成させるようにする。

請求項（抜粋）：

誘電体層を形成するための方法であって、該方法が:半導体基板を用意し、該基板は1つの表面を有し;前記半導体基板の上に酸素含有層を形成し;そして前記酸素含有層を窒素を含むプラズマに曝して、前記窒素が前記酸素含有層の中に混入されるかまたは前記基板の前記表面部に窒化物層を形成させる、以上のステップを含む前記方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/318

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/318 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-140399   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-155957   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-199333   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭60-241269