特許
J-GLOBAL ID：200903062981347731

半導体発光素子用エピタキシャルウェハ

発明者：
吉永 敦

吉永 敦 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 柿沼 伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-122154
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308376
出願日： 2000年04月24日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：
【要約】【課題】高出力の赤外LEDを作製するためのエピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】n型GaAs基板上に、第1のn型GaAlAs層、キャリヤ濃度が1〜3×1017cm-3の範囲内のn型GaAlAsクラッド層、発光波長が850〜900nmの範囲内のp型GaAlAs活性層、p型GaAlAsクラッド層、及び第1のp型GaAlAs層を積層した後に、前記n型GaAs基板を除去する構造とし、n型GaAlAsクラッド層の第1のn型GaAlAs層との界面から2μm以内の領域の炭素濃度の極大値を1×1017原子/cm3未満、n型GaAlAsクラッド層、及びp型GaAlAsクラッド層の成長開始位置と成長終了位置とのAl組成比差を0.02未満とする。
請求項（抜粋）：
n型GaAs基板上に、第1のn型Ga1-X1AlX1As層、キャリヤ濃度が1〜3×1017cm-3の範囲内のn型Ga1-X2AlX2Asクラッド層、発光波長が850〜900nmの範囲内であるp型Ga1-X3AlX3As活性層、p型Ga1-X4AlX4Asクラッド層、及び第1のp型Ga1-X5AlX5As層を、液相エピタキシャル成長法により順次積層した後に、前記n型GaAs基板を除去することを特徴とする半導体発光素子用エピタキシャルウェハ。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/208
FI (3件)：
H01L 33/00 A ,  C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/208 D
Fターム (32件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE45 ,  4G077CG01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA53 ,  5F041CA63 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041FF14 ,  5F053AA03 ,  5F053AA25 ,  5F053BB04 ,  5F053DD05 ,  5F053FF02 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053KK02 ,  5F053KK04 ,  5F053KK08 ,  5F053LL02 ,  5F053RR03 ,  5F053RR11
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (12件)
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