特許
J-GLOBAL ID：200903062989892992
半導体素子、その駆動方法及び駆動装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-371641
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040951
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、電流密度の安定性を向上でき、電流集中や発振などを阻止して信頼性の向上を図る。【解決手段】 ターンオフのとき、主電流がフォール時間に移行する前に、制御電極の電圧を半導体素子のしきい値電圧Vth以下に低下させることにより、主電極間の電圧の上昇前に電子注入を停止させ、電流密度の安定性を向上でき、電流集中や発振などを阻止して信頼性を向上させる半導体素子、その駆動方法及び駆動装置。
請求項（抜粋）：
高圧側主電極、低圧側主電極及び制御電極を有する絶縁ゲート型のバイポーラ半導体素子の駆動方法であって、前記バイポーラ半導体素子をターンオフするとき、前記主電極間を流れている主電流がフォール時間に移行する前に、前記制御電極の電圧を前記バイポーラ半導体素子のしきい値電圧Vth以下に低下させる工程を含んでいることを特徴とするバイポーラ半導体素子の駆動方法。
IPC (4件)：
H03K 17/56
, H01L 29/78
, H03K 17/10
, H03K 17/12
H03K 17/56 Z
, H03K 17/10
, H03K 17/12
, H01L 29/78 654 Z
, H01L 29/78 655 Z
, H01L 29/78 657 G
