特許
J-GLOBAL ID:200903063091919050

金属間誘電体として用いられる低K及び超低Kの有機シリケート膜の疎水性の回復

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏 ,  坂口 博
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-538874
公開番号(公開出願番号):特表2008-518460
出願日: 2004年10月27日
公開日(公表日): 2008年05月29日
要約:
【課題】 金属間誘電体として用いられる低k及び極低k有機シリケート膜の疎水性の回復方法を提供する。【解決手段】 集積回路におけるRC遅延を低減するためにしばしば使用されるのは、多孔質有機シリケートの誘電体膜であり、これはシリカ様の骨格とその網目構造中のSi原子に直接結合したアルキルまたはアリール基を(材料に疎水性を与え、空隙を生成するために)有する。Si-R結合は加工処理において通常用いられるプラズマへの暴露又は化学処理に耐えて残存することはほとんどなく、このことはとくに開放気孔構造を有する材料の場合に当てはまる。Si-R結合が破壊されると、その材料は親水性のシラノールの形成のために疎水性を失い、低誘電率が損なわれる。一般式(R2N)XSiR’Yを有し、ここでX及びYは、それぞれ、1から3まで及び3から1までの整数であり、R及びR’は水素、アルキル、アリール、アリル及びビニル部分から成る群から選択される、新規な種類のシリル化剤を用いて、材料の疎水性を回復する方法が開示される。シリル化処理の結果、多孔質有機シリケートの機械的強度も向上する。【選択図】 図10
請求項(抜粋):
シリコン原子に結合した水素原子又はアルキル若しくはアリール基を有する低k又は極低誘電率の有機シリケート膜であって、半導体チップ、又はチップ担体、或いは半導体ウェハ内の低又は極低誘電率の絶縁層中に用いられる有機シリケート膜の特性を回復する方法であって、前記有機シリケート膜は前記特性を劣化させる傾向がある処理を受けており、前記方法は、 前記膜に、該膜を疎水性にするようにアミノシランを含むシリル化剤を塗布するステップを含む、方法。
IPC (4件):
H01L 21/316 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (3件):
H01L21/316 P ,  H01L21/312 C ,  H01L21/90 J
Fターム (23件):
5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR24 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033WW05 ,  5F033XX00 ,  5F058AA02 ,  5F058AA04 ,  5F058AA05 ,  5F058AC03 ,  5F058AG04 ,  5F058AG10 ,  5F058AH02
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 米国特許出願公開公報第US2004/0087135A1号明細書
審査官引用 (2件)

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