特許
J-GLOBAL ID：200903063106492953
半導体装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-045115
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243887
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 アイランドから連続する延在部を折り曲げてコレクタ電極として利用することにより、実装面積を縮小でき、且つ耐湿性を維持できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 アイランド12上に半導体ペレット10を固着し、半導体ペレット10の電極パッド11にポスト電極15を接着する。アイランド12の延在部12aをポスト電極15と同程度の高さまで折り曲げ、全体を樹脂層18で被覆する。ポスト電極15の頭部と延在部の頭部(露出部12b)が樹脂層18の表面に露出して、外部接続用端子となる。
請求項（抜粋）：
アイランド上に半導体ペレットを固着し、前記半導体ペレットの電極パッドにポスト電極を固着し、前記アイランドに連続する延在部が前記ポスト電極と同じ高さとなるように折り曲げられ、前記ポスト電極と前記アイランドの延在部が表面に露出するように前記半導体ペレットの周囲を樹脂封止し、前記アイランドの延在部を前記半導体ペレットの裏面側の取り出し電極としたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/48
, H01L 21/56
, H01L 23/12
, H01L 23/28
H01L 23/48 P
, H01L 23/48 M
, H01L 21/56 T
, H01L 23/28 A
, H01L 23/12 L
4M109AA01
, 4M109BA02
, 4M109CA21
, 4M109DB17
, 4M109GA10
, 5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061CA21
