デンドリック高分子及びこれを用いた電子デバイス素子

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：栗原浩之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-189100
公開番号（公開出願番号）：特開2004-107625
出願日： 2003年06月30日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】等方性で極めて高いキャリア伝導性を有する有機半導体材料となる新規デンドリック高分子及びそれを用いた電子デバイスを提供する。【解決手段】分岐部を有する繰り返し単位を含んだ分岐構造を有するデンドリック高分子において、前記繰り返し単位が置換基を有してもよい2価の有機基である線状部Xと、置換基を有してもよい3価の有機基である分岐部Yとからなる下記一般式(1)で表される構造であって、前記線状部Xは少なくとも1つのチエニレン構造を含み且つ前記分岐部と少なくとも部分的に共役しており、外的要因の有無により絶縁状態と金属状態とを可逆的に有することを特徴とするデンドリック高分子とする。【化1】【選択図】なし

請求項（抜粋）：

分岐部を有する繰り返し単位を含んだ分岐構造を有するデンドリック高分子において、前記繰り返し単位が置換基を有してもよい2価の有機基である線状部Xと、置換基を有してもよい3価の有機基である分岐部Yとからなる下記一般式(1)で表される構造であって、前記線状部Xは少なくとも1つのチエニレン構造を含み且つ前記分岐部と少なくとも部分的に共役しており、外的要因の有無により絶縁状態と金属状態とを可逆的に有することを特徴とするデンドリック高分子。

IPC (4件)：

C08G61/12 , H01L29/786 , H01L31/04 , H01L51/00

FI (4件)：

C08G61/12 , H01L31/04 D , H01L29/28 , H01L29/78 618B

Fターム (20件)：

4J032BA03 , 4J032BA12 , 4J032CA03 , 4J032CG01 , 5F051AA11 , 5F051CB30 , 5F051FA04 , 5F051FA06 , 5F051GA03 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110CC03 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110EE43 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK32

引用特許：

出願人引用 (7件)

有機半導体材料、これを用いた有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-099004 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
アリール-アリールデンドリマー
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-566566 出願人：アイシスイノベイシヨンリミテツド
デンドリマーの製造方法及びビルディングブロック化合物並びにチオフェン系化合物の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-189099 出願人：東洋合成工業株式会社

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審査官引用 (7件)

有機半導体材料、これを用いた有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-099004 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
アリール-アリールデンドリマー
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-566566 出願人：アイシスイノベイシヨンリミテツド
デンドリマーの製造方法及びビルディングブロック化合物並びにチオフェン系化合物の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-189099 出願人：東洋合成工業株式会社

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引用文献：

出願人引用 (4件)

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審査官引用 (4件)

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