特許
J-GLOBAL ID：200903063115780007

半導体発光装置

発明者：
林 嗣久

林 嗣久 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-301834
公開番号（公開出願番号）：特開2003-110148
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 放熱効率の良い半導体発光装置を提供する。【解決手段】 基板11上に半導体素子が形成されてなる発光素子が実装基体に実装されてなる半導体発光装置であり、実装基体側と電気的に導通して接続された第1のバンプ31と、実装基体と電気的に絶縁して接続された第2のバンプ32を設けることで、第1のバンプからの距離が遠く、十分に実装基体側へ放熱されなかった熱を、第2のバンプを介して効率よく実装基体側へ導き、放熱効率を良好にすることができる。
請求項（抜粋）：
基板上に半導体素子が形成されてなる発光素子が実装基体に実装されてなる半導体発光装置において、前記半導体発光装置は、実装基体と電気的に導通して接続された正負一対の第1のバンプと、実装基体と電気的に絶縁して接続された第2のバンプとを有することを特徴とする半導体発光装置。
FI (2件)：
H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 C
Fターム (11件)：
5F041AA33 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041DA03 ,  5F041DA09 ,  5F041DA13 ,  5F041DA19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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