特許
J-GLOBAL ID：200903063120003698

不揮発性半導体記憶装置とその製造方法

発明者：
神谷 栄二

神谷 栄二 について

, 
清水 和裕

清水 和裕 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-119848
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311956
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】【課題】浮遊ゲートをエッチングする際、エッチングの制御が困難であった。【解決手段】各メモリセルMCにおいて、半導体基板11の表面にはゲート酸化膜12が形成され、このゲート酸化膜12の上には浮遊ゲートFGを構成する第1の浮遊ゲート13aが形成されている。この第1の浮遊ゲート13aの上には、絶縁膜14が形成され、この絶縁膜14の上に第2の浮遊ゲート13bが形成される。絶縁膜14は第2の浮遊ゲート13bを構成するポリシリコンをエッチングする際のストッパーとして作用する。
請求項（抜粋）：
浮遊ゲートと制御ゲートとを絶縁して積層した二層ゲート構造のメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置であって、前記浮遊ゲート内に絶縁膜を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115
FI (2件)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434
Fターム (20件)：
5F001AA30 ,  5F001AA43 ,  5F001AB08 ,  5F001AD53 ,  5F001AD60 ,  5F001AG02 ,  5F001AG10 ,  5F001AG21 ,  5F001AG29 ,  5F083EP04 ,  5F083EP23 ,  5F083EP55 ,  5F083EP76 ,  5F083ER22 ,  5F083GA27 ,  5F083GA30 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR07 ,  5F083PR21
引用特許：
審査官引用 (4件)
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