特許

J-GLOBAL ID：200903063161375370

レーザーデバイスの劈開面を加工する方法及びレーザーデバイス

発明者： ラマム アッキペッディ ,  ツォンリ リ ,  スドヒランヤン トリパシー ,  スー ジン チュア
出願人/特許権者： エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-182974
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165616
出願日： 2003年06月26日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】サファイア基板上にGaN-ベース層を有した窒化物系半導体レーザの平坦な劈開面を得る。【解決手段】基板及びその基板の第1の面に形成された少なくとも1つのGaN-ベースの層を有しているレーザーデバイスにおいて劈開面を加工する方法であって、下記の工程: 前記基板の第2の表面に線状の溝を切り込み、その際、前記基板の垂直面に前記溝を位置合わせする工程、及び 前記基板及び前記少なくとも1つのGaN-ベースの層を前記垂直面に沿って劈開する工程を含み、かつ前記切り込み工程を外部のレーザー源からレーザービームによって行う加工方法。【選択図】 図1(a)

請求項（抜粋）：

レーザーデバイスの劈開面を加工する方法であって、 前記デバイスが、基板及びその基板の第1の面に形成された少なくとも1つのGaN-ベースの層を有しており、 前記方法が、下記の工程: 前記基板の第2の表面に線状の溝を切り込み、その際、前記基板の垂直面に前記溝を位置合わせする工程、及び 前記基板及び前記少なくとも1つのGaN-ベースの層を前記垂直面に沿って劈開する工程 を含み、かつ前記切り込み工程を外部のレーザー源からレーザービームによって行うことを特徴とする加工方法。

IPC (2件)：

H01S5/02 ,  H01S5/323

FI (2件)：

H01S5/02 ,  H01S5/323 610

Fターム (5件)：

5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA32 ,  5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体レーザの製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-109197   出願人：ローム株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-349418   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体レーザの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-232788   出願人：松下電器産業株式会社