半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-298337
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072171
出願日： 2003年08月22日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【課題】寸法の制御性が良好なカーボンナノチューブを備え、高アスペクト比のビアやコンタクトなどの垂直配線部の抵抗を低減し、また、垂直配線部や能動素子の特性のバラツキを低減した信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置10は、下層配線層11と、下層配線層11上に、エッチングストッパ層12、第1層間絶縁膜13、エッチングストッパ層14、第2層間絶縁膜15が順次堆積され、第2層間絶縁膜15に形成された上層配線層18と、第1層間絶縁層13及びエッチングストッパ層12,14を貫通して下層配線層11と上層配線層18を電気的に接続するビア部19などから構成されている。ビア部19は、下層配線層11表面に形成された微粒子よりなる微粒子状触媒層20が形成され、微粒子状触媒層20から成長して形成された複数のカーボンナノチューブ21から構成され、カーボンナノチューブ21は下層配線層11と上層配線層18を間接的あるいは直接的に電気的に接続する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1の導電部と、前記第1の導電部を覆う層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に形成された第2の導電部と、前記層間絶縁層を貫通し第1の導電部を露出させる溝部の第1の導電部の表面に形成された触媒層と、前記触媒層上に形成され、第1の導電部と第2の導電部を電気的に接続するカーボンナノチューブとを有し、前記触媒層は微粒子よりなる半導体装置。

IPC (9件)：

H01L21/768 , B82B1/00 , H01L21/205 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/786

FI (9件)：

H01L21/90 A , B82B1/00 , H01L21/205 , H01L21/28 301Z , H01L21/285 C , H01L29/06 601N , H01L21/88 M , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A

Fターム (103件)：

4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB16 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB25 , 4M104BB27 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD06 , 4M104DD22 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD46 , 4M104DD53 , 4M104DD68 , 4M104DD75 , 4M104DD94 , 4M104FF02 , 4M104FF13 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104GG09 , 4M104HH14 , 4M104HH15 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH13 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH25 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ00 , 5F033JJ07 , 5F033JJ15 , 5F033JJ16 , 5F033JJ20 , 5F033JJ31 , 5F033JJ36 , 5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK25 , 5F033KK26 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM07 , 5F033MM13 , 5F033NN03 , 5F033PP02 , 5F033PP08 , 5F033PP12 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ41 , 5F033QQ48 , 5F033QQ49 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033RR13 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033VV06 , 5F033WW01 , 5F033XX04 , 5F033XX09 , 5F045AA03 , 5F045AA08 , 5F045AB07 , 5F045AC07 , 5F045CB10 , 5F045DB02 , 5F110AA01 , 5F110CC07 , 5F110DD05 , 5F110EE03 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE15 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG22 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (3件)

垂直にナノ相互接続された回路デバイスからなる製品及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-324945 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
集積回路装置及び集積回路装置製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-135322 出願人：富士通株式会社
集積回路内の半導体デバイスおよびその構成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-131296 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド

審査官引用 (1件)

集積回路内の半導体デバイスおよびその構成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-131296 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド

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