特許
J-GLOBAL ID：200903063247877174
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-158365
公開番号（公開出願番号）：特開2002-352577
出願日： 2001年05月28日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：
【要約】【課題】 外部から命令されることなくリフレッシュ動作を行う半導体記憶装置において、リフレッシュ動作の安定性を確保する。【解決手段】 リフレッシュ回路40は、リフレッシュ動作の実行を指令するリフレッシュ指令信号/REFEを出力する。リフレッシュ回路40は、リフレッシュ指令信号/REFEを活性化させる指令信号活性化回路50と活性化されたリフレッシュ指令信号/REFEを出力するか否かを判定する判定回路60とを含む。判定回路60は、半導体記憶装置がスタンバイ状態のときにリフレッシュ指令信号/REFEを出力すると判定する。
請求項（抜粋）：
データの読出動作および書込動作を実行することが可能な動作状態と、前記データを保持するスタンバイ状態とを有する半導体記憶装置であって、行列状に配置される複数のメモリセルを含むメモリセルアレイと、前記複数のメモリセルが保持する前記データを、外部から命令されることなくリフレッシュする完全ヒドゥンリフレッシュ手段とを含み、前記完全ヒドゥンリフレッシュ手段は、前記半導体記憶装置の状態に応じて、リフレッシュ動作を実行する、半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 11/34 371 J
, G11C 11/34 363 M
5M024AA40
, 5M024AA50
, 5M024BB22
, 5M024BB39
, 5M024EE05
, 5M024EE15
, 5M024EE23
, 5M024GG02
, 5M024KK22
, 5M024PP01
, 5M024PP02
, 5M024PP07
