特許
J-GLOBAL ID：200903043080703631

半導体メモリ装置のリフレッシュ制御

発明者：
水垣 浩一

水垣 浩一 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 五十嵐 孝雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-265063
公開番号（公開出願番号）：特開2002-074946
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 半導体メモリ装置が取り得る複数の動作状態にそれぞれ適したリフレッシュ動作を実行することのできる技術を提供する。【解決手段】 メモリチップ200は、オペレーションサイクルでは、リフレッシュタイミング信号RFTMの発生後に、アドレスが変化したことを示すATD信号に同期してリフレッシュ動作を開始する。また、スヌーズ状態(低消費電力状態)では、ATD信号の有無に拘わらず、リフレッシュタイミング信号RFTMの発生に応じてリフレッシュ動作を開始する。
請求項（抜粋）：
半導体メモリ装置であって、ダイナミック型メモリセルを有するメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイのリフレッシュ動作の実行タイミングの決定に使用されるリフレッシュタイミング信号を発生するリフレッシュタイマを有し、前記リフレッシュタイミング信号に少なくとも応じて、前記メモリセルアレイにリフレッシュ動作を実行させるリフレッシュ制御部と、前記半導体メモリ装置の動作状態を規定する動作状態信号を外部装置から受けるための動作状態信号入力端子と、複数ビットのアドレス信号を外部装置から受けるためのアドレス信号入力端子と、前記複数ビットのアドレス信号の変化を検出してアドレス遷移信号を生成するアドレス遷移検出回路と、を備え、前記リフレッシュ制御部は、(i)前記動作状態信号が第1の動作状態を示すときには、前記リフレッシュタイミング信号の発生後に、前記アドレス遷移信号に同期して前記メモリセルアレイにリフレッシュ動作を開始させる第1のリフレッシュモードに従って内部リフレッシュを実行し、(ii)前記動作状態信号が第2の動作状態を示すときには、前記アドレス遷移信号の有無に拘わらず、前記リフレッシュタイミング信号の発生に応じて前記メモリセルアレイにリフレッシュ動作を開始させる第2のリフレッシュモードに従って内部リフレッシュを実行することを特徴とする半導体メモリ装置。
IPC (2件)：
G11C 11/406 ,  G11C 11/403
FI (4件)：
G11C 11/34 363 N ,  G11C 11/34 363 M ,  G11C 11/34 363 K ,  G11C 11/34 371 J
Fターム (13件)：
5B024AA01 ,  5B024AA15 ,  5B024BA17 ,  5B024BA21 ,  5B024BA23 ,  5B024BA29 ,  5B024CA07 ,  5B024CA11 ,  5B024CA16 ,  5B024DA01 ,  5B024DA08 ,  5B024DA18 ,  5B024DA20
引用特許：
審査官引用 (7件)
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