特許

J-GLOBAL ID：200903063261455207

シリコン酸化膜の形成方法

発明者： 大見 忠弘 ,  新田 雄久 ,  岩本 敏幸
出願人/特許権者： 大見 忠弘 ,  株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-343683
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162977
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、清浄度の高い酸化雰囲気により、また、酸化処理後、熱処理を施すことにより、酸化膜の改質を行い、信頼性の高いシリコン酸化膜を形成することを目的とする。【解決手段】 本発明のシリコン酸化膜の形成方法は、酸素及び水素から、触媒作用により水分を発生させ、高温に保持されたシリコンに接触させることにより、シリコンの酸化膜を形成することを特徴とする。また本発明のシリコン酸化膜の形成方法は、酸素及び水素から、触媒作用により水分を発生させ、希釈ガスを添加し、高温に保持されたシリコンに接触させることにより、シリコンの酸化膜を形成することを特徴とする。本発明の搬送方法は、上述のシリコン酸化膜の形成後に、不純物である水分が100ppb以下でありハイドロカーボンが100ppb以下のクリーン窒素またはクリーン窒素/酸素雰囲気で次行程の処理室へ搬送することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

酸素及び水素から、触媒作用により水分を発生させ、高温に保持されたシリコンに接触させることにより、シリコンの酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/68

FI (2件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/68 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 絶縁酸化膜の形成方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-122699   出願人：大見忠弘
• 絶縁膜形成装置及び絶縁膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-087957   出願人：ソニー株式会社
• 半導体製造システム及びクリーンルーム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-220793   出願人：大見忠弘
• 酸化膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-323601   出願人：ソニー株式会社