特許
J-GLOBAL ID:200903063290303157

基板処理方法および基板処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-145267
公開番号(公開出願番号):特開2004-349501
出願日: 2003年05月22日
公開日(公表日): 2004年12月09日
要約:
【課題】基板の表面に与えられる損傷を少なくして洗浄できる基板処理装置を提供する。【解決手段】この基板処理装置1は、純水(DIW)および窒素ガスを導入して純水の液滴を噴射する二流体ノズル2およびコントローラ20を備えている。純水は、純水供給源から純水配管24を介して二流体ノズル2に導入されるようになっている。窒素ガスは、窒素ガス供給源から窒素ガス配管25を介して二流体ノズル2に導入されるようになっている。純水配管24および窒素ガス配管25には、バルブ24V,25Vがそれぞれ介装されている。コントローラ20は、二流体ノズル2から噴射される液滴のボリュームミーディアン径が5μmないし40μmになるようにバルブ24V,25Vを調整できる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
処理液と気体とを混合して処理液の液滴を生成する液滴生成工程と、 この液滴生成工程で生成された処理液の液滴を、処理対象の基板の表面に衝突させる工程とを含む基板処理方法であって、 当該処理液の液滴のボリュームミーディアン径が5μmないし40μmであることを特徴とする基板処理方法。
IPC (4件):
H01L21/304 ,  B05B7/06 ,  B05B7/12 ,  H01L21/027
FI (6件):
H01L21/304 643C ,  H01L21/304 648K ,  B05B7/06 ,  B05B7/12 ,  H01L21/30 569F ,  H01L21/30 569C
Fターム (17件):
4F033QA09 ,  4F033QB02Y ,  4F033QB03X ,  4F033QB13Y ,  4F033QB15X ,  4F033QD21 ,  4F033QD25 ,  4F033QE20 ,  4F033QK23X ,  4F033QK23Y ,  4F033QK27X ,  4F033QK27Y ,  5F046LA03 ,  5F046LA04 ,  5F046LA07 ,  5F046LA14 ,  5F046LA18
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 基板洗浄方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-205809   出願人:ソニー株式会社, 大日本スクリーン製造株式会社
  • 基板洗浄装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-187999   出願人:大日本スクリーン製造株式会社
  • 基板洗浄方法および基板洗浄装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-240679   出願人:大日本スクリーン製造株式会社

前のページに戻る