特許

J-GLOBAL ID：200903063298458605

炭化珪素単結晶

発明者： 杉山 尚宏 ,  岡本 篤人 ,  谷 俊彦 ,  妹尾 与志木 ,  内藤 正美 ,  近藤 宏行
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-060441
公開番号（公開出願番号）：特開2001-247397
出願日： 2000年03月01日
公開日（公表日）： 2001年09月11日
要約：

【要約】【課題】 デバイス特性に優れ、積層欠陥による電気的な異方性が少さい炭化珪素単結晶を提供する。【解決手段】 らせん転位の集合体2、積層欠陥3、及び刃状転位4が含まれ、らせん転位の集合体2が積層欠陥3若しくは刃状転位4によって、らせん転位の軸(転位線を伸長する)方向に分断された炭化珪素単結晶1とする。

請求項（抜粋）：

らせん転位の集合体(2)を含んでいることを特徴とする炭化珪素単結晶。

IPC (4件)：

C30B 29/36 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/861

FI (4件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/324 X ,  H01L 29/91 F

Fターム (8件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077FE19 ,  4G077HA02 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 炭化珪素単結晶の製造方法及びそれによって得られた炭化珪素単結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-140680   出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー
• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-230279   出願人：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
• SiC単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-258200   出願人：三菱マテリアル株式会社