半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小林茂 , 和泉良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-080195
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258406
出願日： 2006年03月23日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：

【課題】層厚の厚い高品質な窒化物半導体結晶層が、該結晶層内の歪を緩和させた状態で、再現性よく得られる半導体装置を提供すること。【解決手段】基板1であるSi基板上に、核形成層2であるAlN層(層厚150nm)、バッファ層3であるIn1-XAlXN組成傾斜層(層厚210nm、In組成1-Xは、上から下に向けて、0.17から0.1まで変化、組成変化率層厚30mnあたり0.01)、窒化物半導体結晶層4である、GaN層(層厚1000nm)およびAlGaNバリア層(層厚25nm、Al組成0.25)を、順次積層してなる積層構造を有する半導体装置を構成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板上に核形成層、バッファ層および窒化物半導体結晶層を順次積層してなる積層構造を有する半導体装置において、前記バッファ層が、InおよびAlを含有する窒化物半導体を構成要素とすることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/205 , H01L 21/331 , H01L 29/737

FI (3件)：

H01L29/80 H , H01L21/205 , H01L29/72 H

Fターム (31件)：

5F003BA92 , 5F003BB04 , 5F003BC02 , 5F003BC04 , 5F003BE04 , 5F003BE90 , 5F003BF06 , 5F003BG06 , 5F003BM02 , 5F003BM03 , 5F003BP32 , 5F003BZ03 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045BB11 , 5F045CA02 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F045DA58 , 5F045DA69 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GK09 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-378316 出願人：松下電器産業株式会社
化合物半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-022685 出願人：信越半導体株式会社
絶縁性窒化物膜およびそれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-235336 出願人：日本電信電話株式会社

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