特許

J-GLOBAL ID：200903057898048311

絶縁性窒化物膜およびそれを用いた半導体装置

発明者： 西田 敏夫 ,  小林 直樹 ,  前田 就彦
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-235336
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068498
出願日： 1998年08月21日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】窒化物III-V族化合物半導体装置の作製において、格子定数の不整合を抑制したまま、電気的に良好な分離を行うことにより、半導体装置の特性を向上する。例えば、高移動度トランジスタ(HEMT)のチャネル層の下層に、絶縁性窒化物膜を設けることにより、容易に高速性に優れたHEMT特性が得られる半導体装置を提供する。【解決手段】窒化物III-V族化合物半導体に、不純物として炭素単独、もしくは炭素と、該炭素濃度の10%以下のII族原子を共ドープした窒化物III-V族化合物半導体よりなる絶縁性窒化物膜とする。窒化物III-V族化合物半導体は、GaN、AlN、InNまたはBN、もしくはこれらの混合結晶よりなり、これらの絶縁性窒化物膜を少なくとも用いて、窒化物III-V族化合物半導体装置を構成する。

請求項（抜粋）：

窒化物III-V族化合物半導体に、不純物として炭素を高濃度にドープした絶縁性の窒化物III-V族化合物半導体よりなることを特徴とする絶縁性窒化物膜。

IPC (4件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 21/205

Fターム (28件)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045CA06 ,  5F045CA07 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR09 ,  5F102GS04 ,  5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (5件)

• p型半導体膜および半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-332199   出願人：株式会社東芝
• 窒化物系半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-037990   出願人：株式会社東芝
• MIS型電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-330777   出願人：古河電気工業株式会社
• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-071979   出願人：株式会社東芝
• 窒化物半導体の結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-178606   出願人：古河電気工業株式会社