特許

J-GLOBAL ID：200903063333442571

銅薄膜のエッチング方法

発明者： 中野 正 ,  小野 秀昭 ,  徳永 恭二
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 小杉 佳男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-335913
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201819
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】超LSIに用いられる微細な銅の配線パターンを形成する際にエッチング速度が速く、かつサイドエッチングや腐食が起こることもなく、高いスループットで銅配線の加工を行うことができるドライエッチングの方法を提供する。【構成】塩素あるいはクロロカーボンを含むガスに、一般式:AX3 (Aは3価の元素、Xはハロゲン)で示される化合物を混合して、減圧下プラズマ中でドライエッチングする。

請求項（抜粋）：

半導体装置の銅薄膜をエッチングする際に、塩素あるいはクロロカーボンを含むガスに、一般式:AX3 (Aは3価の元素、Xはハロゲン)で示される化合物を混合して、減圧下プラズマ中でドライエッチングすることを特徴とする銅薄膜のエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (3件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 G ,  H01L 21/88 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-303927
  
• ドライエツチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-301281   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-273624
  
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-097914   出願人：ソニー株式会社