特許
J-GLOBAL ID：200903063370491981
SOI基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-109907
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274285
出願日： 1995年03月29日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】 SOI基板における活性基板の周縁部のテーパー角を急峻化し、かつ均一な厚さを有する活性基板を備えたSOI基板及びその製造方法を提供することができる。【構成】 支持基板2の上面をその中央部から周縁部に向けて徐々に肉厚形状になるよう加工する。支持基板2の加工面に活性基板1を貼り合せて貼合せウェハを得る。貼合せウェハの未接着部分を取り除く。活性基板1を支持基板2の加工面に沿って略均一な厚さになるように鏡面加工する。
請求項（抜粋）：
支持基板と、該支持基板の上面に設けられた絶縁体と、該絶縁体上に設けられた活性基板とからなるSOI基板において、前記支持基板の上面がその中央部から周縁部に向けて徐々に肉厚形状になるように形成されると共に、厚さがほぼ均一な前記活性基板が該支持基板の上面に沿うように貼付されていることを特徴とするSOI基板。
IPC (3件)：
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/304 321
H01L 27/12 B
, H01L 21/02 B
, H01L 21/304 321 S
