特許
J-GLOBAL ID:200903063377069495

光半導体素子収納用パッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-273012
公開番号(公開出願番号):特開2001-102636
出願日: 1999年09月27日
公開日(公表日): 2001年04月13日
要約:
【要約】【課題】端子体のメタライズ配線層を伝播する高周波駆動信号に伝播遅延が生じ光半導体素子が誤動作する。【解決手段】基体1と、前記基体1上に光半導体素子載置部1aを囲繞するようにして取着され、側部に2つの貫通孔2a、2bを有する枠体2と、前記1つの貫通孔2aもしくは貫通孔2a周辺の枠体2に取着され、光ファイバー部材8が接合される筒状の固定部材6と、前記他の貫通孔2bに挿着され、矩形状のセラミック基板10cの上面に、相対向する2辺間に亘るメタライズ配線層11を被着するとともに該メタライズ配線層11の中央部を挟んで他の2辺間に亘るセラミック壁部材10dを接合し、かつ前記セラミック基板10cの下面に厚さ0.1mm乃至2mmの金属板からなる接地導体層12が接合されてなる端子体10と、前記枠体2の上面に取着される蓋部材3とからなる。
請求項(抜粋):
上面に光半導体素子が載置される載置部を有する基体と、前記基体上に光半導体素子載置部を囲繞するようにして取着され、側部に2つの貫通孔を有する枠体と、前記1つの貫通孔もしくは貫通孔周辺の枠体に取着され、光ファイバー部材が接合される筒状の固定部材と、前記他の貫通孔に挿着され、矩形状のセラミック基板の上面に、相対向する2辺間に亘るメタライズ配線層を被着するとともに該メタライズ配線層の中央部を挟んで他の2辺間に亘るセラミック壁部材を接合し、かつ前記セラミック基板の下面に厚さ0.1mm乃至2mmの金属板からなる接地導体層が接合されてなる端子体と、前記枠体の上面に取着され、光半導体素子を気密に封止する蓋部材とからなる光半導体素子収納用パッケージ。
IPC (3件):
H01L 33/00 ,  H01L 23/02 ,  H01S 5/022
FI (3件):
H01L 33/00 M ,  H01L 23/02 F ,  H01S 5/022
Fターム (12件):
5F041AA21 ,  5F041DA20 ,  5F041DA33 ,  5F041DA61 ,  5F041DA73 ,  5F041EE03 ,  5F073AB28 ,  5F073EA29 ,  5F073FA06 ,  5F073FA15 ,  5F073FA25 ,  5F073FA30
引用特許:
審査官引用 (9件)
  • 半導体レーザモジユール
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-187921   出願人:日本電気株式会社
  • 光半導体素子収納用パッケージ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-009724   出願人:京セラ株式会社
  • マイクロストリップ基板
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-032269   出願人:住友電気工業株式会社
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