半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-110237
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068069
出願日： 1998年04月06日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】一対のソース/ドレインに対応した3つのチャネルを有し、しかも通常のバルク型のトランジスタと同一の半導体基板上に選択的に形成され、超微細構造且つ高駆動能力を有する半導体装置を実現する。【解決手段】 p型のシリコン半導体基板1の表面に極めて薄い厚みの活性領域となる柱状突起11が加工形成され、柱状突起11の中央部位を覆うゲート電極21と、このゲート電極21の両側における柱状突起11に形成されてなる一対の不純物拡散層22とが形成され、柱状突起11の側面を狭持して埋め込む素子分離用絶縁膜23が形成されて、SOI構造と等価の高機能性を有するMOSトランジスタが構成される。

請求項（抜粋）：

表面に柱状突起が一体形成されてなる形状に加工された半導体基板と、前記柱状突起の表面の略中央部位を覆うように第1の絶縁膜を介してパターン形成されてなる導電膜と、前記導電膜の両側の前記柱状突起内に不純物が導入されてなりる一対の拡散領域と、前記柱状突起を側面から埋め込むように前記半導体基板上に形成された第2の絶縁膜とを有しており、前記導電膜は、前記第2の導電膜上に延びて形成された延長部を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/115 , H01L 29/78 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 671 A , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-091479
特開平2-201965
特開昭59-119740

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