特許
J-GLOBAL ID：200903063408677375

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
持田 篤範

持田 篤範 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (13件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  米田 圭啓 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-201961
公開番号（公開出願番号）：特開2007-019421
出願日： 2005年07月11日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：
【課題】出射光の光軸に対する垂直な方向の断面(投影面)の形状の低楕円率化を図りながら、高出力動作を実現できるようにする。 【解決手段】半導体発光装置は、MQW活性層5を含む複数の半導体層からなり、上部に幅が一定で且つ断面凸状のストライプ形状を持つリッジストライプ部20が形成され、出射端面22から発光光を出射する発光部本体15を有している。発光部本体15上におけるリッジストライプ部20の側面及び側方の領域には、発光光の屈折率がリッジストライプ部20が延びる方向に変化する少なくとも3通りの屈折率を有する第1電流狭窄層9、第2電流狭窄層10及び第3の電流狭窄層11が形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
活性層を含む複数の半導体層からなり、上部に幅が一定で且つ断面凸状のストライプ形状を持つリッジストライプ部を有し、端面から発光光を出射する発光部本体と、 前記発光部本体の上における前記リッジストライプ部の側面及び側方の領域を覆うように形成され、前記発光光の屈折率が前記リッジストライプ部が延びる方向に変化する少なくとも3通りの屈折率を有する電流狭窄層とを備えていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
H01S 5/22
FI (1件)：
H01S5/22
Fターム (10件)：
5F173AA08 ,  5F173AB72 ,  5F173AF32 ,  5F173AF94 ,  5F173AF96 ,  5F173AH22 ,  5F173AK04 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AR53
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)
  • 特開平2-156588
  • 半導体レーザ素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-182401   出願人：三菱電機株式会社
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-267532   出願人：沖電気工業株式会社

前のページに戻る

TOP

BOTTOM