特許

J-GLOBAL ID：200903063467409279

レジスト用樹脂、およびレジスト樹脂用モノマー

発明者： 高山 寿一 ,  藤田 正一 ,  森 貴敬 ,  米村 幸治 ,  瀬尾 健仁 ,  森 啓 ,  西 啓司 ,  墨 裕 ,  島巻 利治
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社 ,  ダイトーケミックス株式会社
代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-154524
公開番号（公開出願番号）：特開2006-328241
出願日： 2005年05月26日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：

【課題】 レジストパターンのスタンディングウェーブを低減できるレジスト組成物を提供できるレジスト用樹脂、およびレジスト樹脂用モノマーを提供する。【解決手段】 ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位(a1)と、酸解離性溶解抑制基を有する構成単位(a2)と、下記一般式(a3-1)で表される構成単位(a3)とを有する樹脂(A1)であることを特徴とするレジスト用樹脂。【化1】[式中、Rは水素原子、アルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基を表し;R1は水素原子または酸解離性溶解抑制基を表し;Aは単結合または2価の有機基を表し;Arは置換基を有していてもよいアリーレン基を表す。]【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位(a1)と、酸解離性溶解抑制基を有する構成単位(a2)と、下記一般式(a3-1)

IPC (4件)：

C08F 212/14 ,  C08F 220/26 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

C08F212/14 ,  C08F220/26 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (32件)：

2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025FA17 ,  4J100AB02S ,  4J100AB04S ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03R ,  4J100BA04Q ,  4J100BA58R ,  4J100BC42Q ,  4J100BC43R ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 電子線またはX線用ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-142185   出願人：富士写真フイルム株式会社
• フォトレジストマスクおよび半導体装置の不純物領域形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-153705   出願人：川崎製鉄株式会社
• ポジ型ホトレジスト組成物および傾斜インプランテーションプロセス用薄膜レジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-352287   出願人：東京応化工業株式会社

審査官引用 (3件)

• リソグラフィー用下地材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-247187   出願人：東京応化工業株式会社
• 電子線又はX線用ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-267329   出願人：富士写真フイルム株式会社
• ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-154523   出願人：東京応化工業株式会社