半導体装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲葉良幸 , 田中克郎 , 大賀眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-129544
公開番号（公開出願番号）：特開2009-277983
出願日： 2008年05月16日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：

【課題】結晶面方位が一定であり、相対的に高密度に集積が可能であり、かつ、比較的簡単なプロセスを有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体層に金属原子を導入して熱処理をすることにより半導体層の結晶配向を制御する半導体装置の製造方法(MILC法)において、半導体層の一定形状を有する領域(114)に金属原子を導入する工程を備えることにより、半導体層に応力を生じさせ応力により半導体層の結晶面方位を制御するものである。この一定形状は、熱処理時に半導体層に応力を生じさせることが可能な角部(P)を有することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体層に金属原子を導入して熱処理をすることにより該半導体層の結晶配向を制御する半導体装置の製造方法において、該半導体層の一定形状を有する領域に該金属原子を導入する工程を備えることにより、該半導体層に応力を生じさせ該応力により該半導体層の結晶面方位を制御するものであり、該一定形状は、該熱処理時に該半導体層に応力を生じさせることが可能な角部を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (3件)：

H01L21/20 , H01L29/78 627G , H01L29/78 620

Fターム (63件)：

5F110AA01 , 5F110AA04 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG24 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG47 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP10 , 5F110PP23 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110QQ11 , 5F152AA07 , 5F152BB01 , 5F152BB02 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC08 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CE05 , 5F152CE13 , 5F152CE16 , 5F152CE25 , 5F152CF13 , 5F152CF18 , 5F152CF22 , 5F152CF23 , 5F152CF24 , 5F152CF25 , 5F152EE13 , 5F152FF03 , 5F152FF21 , 5F152FF36 , 5F152FG18

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-329760 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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