半導体製造装置及び半導体製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-232793
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086254
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】半導体製造装置のチャンバ内に堆積するデポ物の付着量や化学的組成を、装置を大気開放せずに、或いはプロセスの進行中にモニタリングし、デポ物の清掃時期の判定や、プロセスの安定化にフィードバックしたり自動制御に応用する。【構成】処理チャンバ11内に、光ファイバ等を用いて赤外光等を光導入部18より導入する。チャンバ11内の全体、或いは特定な部分で反射した光を、受光部120から出して分光したり光量を測定することにより、チャンバ11内のデポ物の状態を測定する。【効果】デポ物の堆積量を半定量的にモニタすることができる為、大気開放を伴うようなデポ物の清掃時期の判定をより正確にできるようになる。よって、装置稼働率の向上やプロセスの安定化につながり、生産コストを低減することができる。

請求項（抜粋）：

チャンバと、光が透過する部材とを備えてなり、該透光性部材を通して前記チャンバの内部に光を導入し、チャンバ内部に光を照射し、その反射光を分光及び/または光量測定することにより、チャンバ内の状況を大気開放せずに測定可能な構成とすることを特徴とする半導体製造装置。

FI (2件)：

H01L 21/302 E , H01L 21/302 N

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開平4-234115
半導体処理方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-082983 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開平1-238018

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審査官引用 (12件)

特開平4-234115
半導体処理方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-082983 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開平1-238018

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