半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-008976
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209446
出願日： 1997年01月21日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】一般的に酸化膜耐圧低下の原因となるシリコン基板中の汚染物質濃度を低下させ、その後のゲート酸化膜形成時にゲート酸化膜に溶出する汚染物質濃度を低下させることができる半導体装置の製造方法。【解決手段】ウエル領域1aを有するシリコン基板1を用意し、パッド酸化膜を形成後、選択酸化のための非酸化マスクとしての窒化シリコン膜を形成し、ホトエッチング工程により、パターニングを行う。ウエル領域1a上に選択酸化法によりフィールド酸化膜8を形成する。窒化シリコン膜とその下のパッド酸化膜20を除去する。犠牲酸化膜23を1050°Cの高温での熱酸化で400Å〜数1000Å形成し、ウエットエッチングにより除去する。80〜200Å程度のゲート酸化膜を1050°Cの熱酸化で形成し、その上にゲート電極を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の上に、絶縁膜としての薄膜の酸化膜を介して電極が配置された半導体装置の製造方法であって、シリコン基板の上に前記酸化膜を形成するに先立ち、この酸化膜の形成領域に当該酸化膜の形成温度以上の高温での熱酸化により犠牲酸化膜を形成する工程と、前記犠牲酸化膜を除去する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/316 , H01L 21/8234 , H01L 27/088

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/316 S , H01L 27/08 102 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

高耐圧半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-040185 出願人：日本電気株式会社
特開昭61-193459
特開昭56-103425

全件表示

前のページに戻る