特許
J-GLOBAL ID：200903063509805129
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-345754
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168188
出願日： 1999年12月06日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 高アスペクト比の接続孔の加工や高い段差を有する部分での加工をなくして、デュアルダマシン構造の配線溝と接続孔とを高精度に加工し、微細な配線溝および接続孔の形成を可能にする。【解決手段】 基板10上に、酸化シリコン系の第1の層間絶縁膜12、エッチングストッパ層13、酸化シリコン系の第2の層間絶縁膜14、マスク層15を順に形成した後、マスク層15に配線溝パターン16を開口し、さらに配線溝パターン16に少なくともかかるように第2の層間絶縁膜14、エッチングストッパ層13にビアホールパターン17を開口して、次いでマスク層15をエッチングマスクに用いて第2の層間絶縁膜14に配線溝18を形成するとともにエッチングストッパ層13をエッチングマスクに用いて第1の層間絶縁膜12にビアホール19を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に、第1の酸化シリコン系材料からなる第1の層間絶縁膜と、前記第1の酸化シリコン系材料に対してエッチング選択性を有する材料からなるエッチングストッパ層と、第2の酸化シリコン系材料からなる第2の層間絶縁膜と、前記第2の酸化シリコン系材料に対してエッチング選択性を有する材料からなるマスク層とを順に形成する工程と、前記マスク層に配線溝を形成するための配線溝パターンを開口する工程と、前記配線溝パターンに少なくともかかるように前記第2の層間絶縁膜および前記エッチングストッパ層に接続孔を開口する工程と、前記マスク層をエッチングマスクに用いて前記第2の層間絶縁膜に配線溝を形成するとともに前記エッチングストッパ層をエッチングマスクに用いて前記第1の層間絶縁膜に接続孔を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (11件)：
5F033MM02
, 5F033QQ12
, 5F033QQ16
, 5F033QQ25
, 5F033QQ28
, 5F033QQ30
, 5F033QQ35
, 5F033QQ37
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033XX03
