特許
J-GLOBAL ID:200903063519274393
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
発明者:
,
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (8件):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-280620
公開番号(公開出願番号):特開2008-098523
出願日: 2006年10月13日
公開日(公表日): 2008年04月24日
要約:
【課題】熱的安定性を向上させ、かつ磁化反転の際の反転電流密度をより低減する。【解決手段】磁気抵抗効果素子は、磁性材料を含み、かつ膜面に対して垂直方向の磁化を有し、かつスピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化し、かつ(001)面が配向したfct型の結晶構造を有する磁化自由層12と、磁化自由層12を挟むように設けられ、かつ正方晶型或いは立方晶型の結晶構造を有する第1および第2の非磁性層13,14と、磁化自由層12の一方の側のみに設けられ、かつ第1の非磁性層13の磁化自由層12が設けられた面と反対面に設けられ、かつ磁性材料を含み、かつ膜面に対して垂直方向の磁化を有し、かつ磁化の方向が固着された磁化固着層11とを含む。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
磁性材料を含み、かつ膜面に対して垂直方向の磁化を有し、かつスピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化し、かつ(001)面が配向したfct型の結晶構造を有する磁化自由層と、
前記磁化自由層を挟むように設けられ、かつ正方晶型或いは立方晶型の結晶構造を有する第1および第2の非磁性層と、
前記磁化自由層の一方の側のみに設けられ、かつ前記第1の非磁性層の前記磁化自由層が設けられた面と反対面に設けられ、かつ磁性材料を含み、かつ膜面に対して垂直方向の磁化を有し、かつ磁化の方向が固着された磁化固着層と
を具備することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件):
H01L 43/10
, H01L 43/08
, H01L 21/824
, H01L 27/105
FI (3件):
H01L43/10
, H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
Fターム (32件):
4M119AA17
, 4M119BB01
, 4M119BB03
, 4M119CC05
, 4M119DD03
, 4M119DD10
, 4M119DD17
, 4M119DD45
, 4M119JJ09
, 5F092AA08
, 5F092AB08
, 5F092AD03
, 5F092AD23
, 5F092AD25
, 5F092BB12
, 5F092BB23
, 5F092BB30
, 5F092BB33
, 5F092BB34
, 5F092BB36
, 5F092BB43
, 5F092BB53
, 5F092BB55
, 5F092BC04
, 5F092BC12
, 5F092BC13
, 5F092BC46
, 5F092BE12
, 5F092BE13
, 5F092BE21
, 5F092BE24
, 5F092CA26
引用特許:
前のページに戻る