特許
J-GLOBAL ID：200903062647326472
磁気ランダムアクセスメモリ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-262444
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080287
出願日： 2004年09月09日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：
【課題】MRAMのメモリセルの微細化と誤書き込みの防止とを実現する。【解決手段】本発明の例に関わる磁気ランダムアクセスメモリは、磁気抵抗効果素子MTJと、磁気抵抗効果素子MTJにデータ書き込みのための磁場を与える書き込み線42と、データ書き込みを行っている間、磁気抵抗効果素子MTJの温度をそれ以外の磁気抵抗効果素子の温度よりも高くする手段Is2とを備える。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
複数の磁気抵抗効果素子と、前記複数の磁気抵抗効果素子のうち、選択された磁気抵抗効果素子にデータ書き込みのための磁場を与える書き込み線と、前記データ書き込みを行っている間、前記選択された磁気抵抗効果素子の温度をそれ以外の磁気抵抗効果素子の温度よりも高くする手段とを具備し、
前記複数の磁気抵抗効果素子の各々は、第1磁性層と、前記第1磁性層上の非磁性層と、前記非磁性層上の第2磁性層とからなる積層構造を有し、かつ、前記第1及び第2磁性層の磁化の向きが前記積層構造の積層面に垂直な方向に設定され、
前記第1磁性層下に第1ヨーク材が配置され、前記第2磁性層上に第2ヨーク材が配置されることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, H01L 21/824
, G11C 11/15
, H01L 43/08
H01L27/10 447
, G11C11/15 140
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083GA15
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083ZA30
出願人引用 (1件)
審査官引用 (9件)
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